IGBT新技術(shù)及發(fā)展趨勢
張金平; 趙倩; 高巍; 李澤宏; 任敏; 張波 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室; 四川成都610054
關(guān)鍵詞：功率開關(guān) 器件結(jié)構(gòu) 封裝技術(shù) 新材料
摘要：目前，采用精細(xì)化溝槽柵技術(shù)、薄片加工技術(shù)、場阻技術(shù)和發(fā)射極載流子濃度增強(qiáng)技術(shù)的器件結(jié)構(gòu)已成為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的主流結(jié)構(gòu)，同時新的器件結(jié)構(gòu)技術(shù)、封裝技術(shù)和新材料技術(shù)也成為業(yè)界研究的重點。文章針對近年來有關(guān)IGBT所取得的最新研究進(jìn)展，從器件結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)、國際主要廠商的技術(shù)發(fā)展、新材料器件等方面對IGBT器件新技術(shù)及發(fā)展趨勢進(jìn)行了系統(tǒng)的梳理和概述。
大功率變流技術(shù)雜志要求:
{1}注釋：以尾注形式進(jìn)行注釋，在文章中相應(yīng)出處的右上角用①等標(biāo)識。
{2}文稿要求:內(nèi)容真實，論點明確，論據(jù)充分，重點突出。說理透徹，文字精練，具有實用性、真實性、科學(xué)性和邏輯性。
{3}中文文題一般在20個漢字左右，作者姓名及工作單位在文題下，按順序排列。
{4}書名、期刊名及報刊名首字母大寫，用斜體；英文文章名除首字母及專用名詞大寫外一律小寫。
{5}關(guān)鍵詞也叫索引詞,是從論文中選出來用以表示全文主題內(nèi)容的單詞或術(shù)語，要求盡量使用規(guī)范性詞。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
