IGBT：概念、發(fā)展與新結(jié)構(gòu)
Florin; Udrea 劍橋大學(xué); 英國劍橋CB30FA
關(guān)鍵詞：igbt 功率器件 超結(jié)
摘要：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是當(dāng)今最具創(chuàng)新性的功率器件，是目前為止唯一將MOSFET和雙極結(jié)型晶體管結(jié)合在單元胞中的器件。由于MOSFET和雙極結(jié)型晶體管對開關(guān)控制和導(dǎo)通狀態(tài)都有影響，因此為了優(yōu)化器件性能及安全工作區(qū)，對二者的工作狀態(tài)需要仔細(xì)地折中考慮。文章闡述了IGBT技術(shù)的發(fā)展歷史、器件結(jié)構(gòu)及發(fā)展前景，涉及IGBT的基本概念及技術(shù)挑戰(zhàn)，討論了促使IGBT更新?lián)Q代的主要技術(shù)進(jìn)程，最后介紹了一些IGBT新型器件結(jié)構(gòu)及新興技術(shù)。
大功率變流技術(shù)雜志要求:
{1}注釋：以尾注形式進(jìn)行注釋，在文章中相應(yīng)出處的右上角用①等標(biāo)識。
{2}文稿要求:內(nèi)容真實(shí)，論點(diǎn)明確，論據(jù)充分，重點(diǎn)突出。說理透徹，文字精練，具有實(shí)用性、真實(shí)性、科學(xué)性和邏輯性。
{3}中文文題一般在20個漢字左右，作者姓名及工作單位在文題下，按順序排列。
{4}書名、期刊名及報(bào)刊名首字母大寫，用斜體；英文文章名除首字母及專用名詞大寫外一律小寫。
{5}關(guān)鍵詞也叫索引詞,是從論文中選出來用以表示全文主題內(nèi)容的單詞或術(shù)語，要求盡量使用規(guī)范性詞。
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