AIE聚硅氧烷的結(jié)構(gòu)與發(fā)光性能研究
關(guān)鍵詞：聚硅氧烷 超支化 聚集誘導(dǎo)發(fā)光 熒光 密度泛函理論
摘要：聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)的聚硅氧烷不含傳統(tǒng)共軛基團(tuán),且其中的硅元素賦予了其優(yōu)良的光物理性能和優(yōu)異的生物相容性.近年來,我們制備了一系列含雙鍵、羥基、胺基和環(huán)氧基的超支化和線性聚硅氧烷,發(fā)現(xiàn)其發(fā)光性能隨結(jié)構(gòu)的不同而改變,且具有一定的規(guī)律性,但對(duì)其發(fā)光機(jī)理缺乏深刻的認(rèn)識(shí).因此,探究并揭示聚硅氧烷的發(fā)光機(jī)理及結(jié)構(gòu)與發(fā)光性能之間的關(guān)系具有很強(qiáng)的挑戰(zhàn)性.本文綜述了影響超支化聚硅氧烷發(fā)光性能的一系列因素,并利用密度泛函理論(DFT)和含時(shí)密度泛函理論(TD-DFT)對(duì)它的發(fā)光機(jī)理進(jìn)行了闡釋,提出了“硅橋強(qiáng)化發(fā)光”(SiEE)的概念.在此基礎(chǔ)上,簡述了聚硅氧烷的應(yīng)用,并指出了其今后的研究方向.
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