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毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器

賈晨陽(yáng); 彭龍新; 劉昊; 凌志健; 李建平; 韓方彬 南京電子器件研究所; 南京210016; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 南京210016

關(guān)鍵詞:毫米波 限幅低噪聲放大器 pin二極管 phemt晶體管 

摘要:設(shè)計(jì)了一款毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器。限幅器采用兩級(jí)反向并聯(lián)二極管結(jié)構(gòu),通過(guò)優(yōu)化限幅器匹配電路,增大了限幅器的耐功率,降低了限幅電路的插損。低噪聲放大器為四級(jí)級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì),輸入端采用最小噪聲匹配,偏置電路增加RC串聯(lián)諧振電路,減小了噪聲,提高了電路穩(wěn)定性。測(cè)試結(jié)果表明,該毫米波GaAs單片限幅低噪聲放大器在33~37GHz頻帶內(nèi),增益達(dá)到22dB,增益平坦為±1dB,輸入駐波小于2,輸出駐波小于1.5,噪聲小于3.0dB,輸出1dB增益壓縮點(diǎn)(P1dB)大于5dBm,可以承受15W的脈沖輸入功率。

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