Si光陽極保護(hù)層——CN薄膜
關(guān)鍵詞：cn薄膜 pecvd射頻濺射 三電極測試 光陽極的保護(hù)
摘要：采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(RF-PECVD)技術(shù),以沉積時間和沉積溫度為變量在n-Si(100)襯底上沉積CN薄膜.XRD與傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜測試表明,沉積物為CN,其中主要含有Si—C鍵、C—N鍵、CC鍵和CN鍵.紫外測試表明,CN薄膜帶隙值約為3eV,光致發(fā)光測試也表明其具有良好的適合的帶隙.從CN薄膜對Si光陽極光解水的保護(hù)性能綜合來看,其中沉積時間為60min、沉積溫度為400℃所得到的CN薄膜的保護(hù)性能最好,其光電流密度達(dá)到51.5mA/cm2,腐蝕電流為2.19μA,光解水性能穩(wěn)定.
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