磁控濺射制備MoS2/C復合薄膜及其結(jié)構(gòu)表征
劉陽; 高立華 三明學院機電工程學院; 福建三明365004
關鍵詞：磁控濺射 二硫化鉬 復合薄膜
摘要：采用單靶與雙靶磁控共濺射技術,在非晶態(tài)石英玻璃基底上分別沉積生長了MoS 2薄膜及MoS 2/C復合薄膜.利用X射線衍射、拉曼光譜檢測技術對MoS 2薄膜和MoS 2/C復合薄膜材料的結(jié)構(gòu)進行表征,探討了退火處理前后薄膜結(jié)構(gòu)的變化.結(jié)果表明,通過脈沖和射頻雙靶共濺射制備的MoS 2/C復合薄膜,碳原子對二硫化鉬的空隙進行了填充,經(jīng)過400℃真空退火20分鐘,獲得了結(jié)晶度較好的MoS 2/C復合薄膜材料.
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