關(guān)鍵詞:多斷口 真空斷路器 有限元 電場計算
摘要:高電壓等級開關(guān)設(shè)備的絕緣水平嚴(yán)重影響設(shè)備的安全運(yùn)行和開斷能力,因此在研發(fā)高電壓真空斷路器時需要分析其電場分布。以363 k V快速真空斷路器設(shè)計結(jié)構(gòu)為原型,建立三維有限元電場計算模型,分別計算了額定電壓下閉合和開斷工況下的電場分布,分析了滅弧室、絕緣子以及主要金具表面的電場大小。結(jié)果表明:均壓環(huán)表面電場最大值為1. 92 MV/m,絕緣子表面最大值為0. 36 MV/m,開距20 mm時滅弧室斷口電場最大值為3. 5 MV/m,其他部位電場均處于控制范圍內(nèi),斷路器總體結(jié)構(gòu)設(shè)計合理,滿足絕緣要求。
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