退火溫度對(duì)ZnO薄膜晶體管電學(xué)性能的影響
關(guān)鍵詞：薄膜材料 zno 薄膜晶體管 退火溫度 遷移率
摘要：為研究退火溫度(從室溫到500℃)對(duì)ZnO薄膜和薄膜晶體管(thin-film transistor,TFT)電性能的影響,使用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜和光致發(fā)光等技術(shù)對(duì)ZnO-TFT進(jìn)行表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,具有400℃退火溫度的ZnO-TFT表現(xiàn)出最佳性能,遷移率為2.7cm^2/Vs,閾值電壓為4.6V,開/關(guān)電流比為5×10^5,亞閾值擺幅為0.98V/Dec。電性能的改善可歸因于載流子濃度的降低,ZnO膜結(jié)晶的增強(qiáng),以及氧化物半導(dǎo)體層和絕緣層之間界面的改善。
深圳大學(xué)學(xué)報(bào)·人文社會(huì)科學(xué)版雜志要求:
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