坩堝下降法生長紅外砷化鎵晶體的研究
關(guān)鍵詞：坩堝下降法 紅外 砷化鎵晶體 透過率
摘要：利用坩堝下降法生長紅外砷化鎵晶體，坩堝下降爐控溫1260℃，晶體以2．5mm／h速度在溫度梯度為10℃／cm的條件下結(jié)晶生長．PBN坩堝外壁黏附有氣相自發(fā)成核、尺寸為1～3mm的砷化鎵單晶顆粒．生長的砷化鎵晶體直徑約50．8mm，總長約140mm．晶體頭部放肩階段存在異相成核，尾部出現(xiàn)多晶．截斷后獲得的砷化鎵單晶長約100mm，成晶率達70％．砷化鎵單晶結(jié)晶質(zhì)量良好，頭尾平均位錯密度分別為868cm-2和1436cm-2，電阻率達10^7Ω·cm量級．砷化鎵單晶整體紅外透過率約為55％，接近最高理論透過率55．8％．滿足工業(yè)界使用要求．
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