2~18GHz超寬帶低噪聲放大器芯片研制
關(guān)鍵詞：低噪聲放大器 gaas mhemt 超寬帶 單片微波集成電路
摘要：低噪聲放大器在射電天文望遠(yuǎn)鏡接收機(jī)中是一個(gè)重要的前端組件,其性能對(duì)接收機(jī)的靈敏度和噪聲有至關(guān)重要的影響。采用OMMIC公司70 nm GaAs mHEMT工藝研究和設(shè)計(jì)了一款工作頻率為2~18 GHz的超寬帶單片微波集成低噪聲放大器芯片,芯片面積為2 mm×1 mm。放大器電路采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放大、雙電源供電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),常溫在片測(cè)試結(jié)果顯示,全頻帶增益大于28 dB,噪聲溫度平均值為93 K,直流功耗150 mW,無(wú)條件穩(wěn)定。該放大器芯片覆蓋了射電天文S,C,X,Ku 4個(gè)傳統(tǒng)觀測(cè)波段,適用于厘米波段超寬帶接收前端和毫米波段超寬帶中頻放大模塊。
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