硅通孔轉(zhuǎn)接板關(guān)鍵工藝技術(shù)研究--TSV成孔及其填充技術(shù)
劉曉陽; 陳文錄 不詳
關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)接板 刻蝕 填充
摘要：硅通孔(TSV)轉(zhuǎn)接板的2.5D封裝是目前產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界研究的熱點技術(shù),而TSV技術(shù)是TSV轉(zhuǎn)接板制造的關(guān)鍵。本文研究了TSV轉(zhuǎn)接板制備工藝,設(shè)計了工藝試驗并進行了試驗研究,對TSV孔刻蝕、阻擋層沉積、電鍍填孔、CMP等關(guān)鍵工藝進行了試驗研究和討論,將所有工藝流程整合,完成了TSV轉(zhuǎn)接板樣品制備。
印制電路信息雜志要求:
{1}在文后參考文獻中，英文姓名的縮寫不用加點，在正文、圖、表、注釋中出現(xiàn)的英文姓名的縮寫要加點。
{2}譯稿請事先征得翻譯版權(quán)并在文后予以說明，如出現(xiàn)著作權(quán)爭議，后果由譯作者自負。
{3}翻譯作品應(yīng)分別注明著者（及國籍）和譯者。
{4}來稿請注明作者信息，包括單位全稱、地址、電話和郵編。
{5}注釋一律采用當(dāng)頁腳注,每頁單獨編號,注釋號碼用阿拉伯?dāng)?shù)字①、②、③……等表示。
注：因版權(quán)方要求，不能公開全文，如需全文，請咨詢雜志社
