氫稀釋比對磁控濺射低溫(100 ℃)沉積氫化微晶硅薄膜微結(jié)構(gòu)特性的影響
關(guān)鍵詞：微晶硅薄膜 射頻磁控濺射 氫稀釋比例 低溫 微結(jié)構(gòu)
摘要：在低溫(100℃)條件下采用磁控濺射在玻璃和硅(100)襯底上沉積氫化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究不同氫稀釋比對微晶硅薄膜微結(jié)構(gòu)特性的影響。結(jié)果表明:薄膜從非晶相過渡到了微晶相當(dāng)氫稀釋比增加到約50%,氫化微晶硅薄膜的結(jié)晶率隨氫稀釋比從40%增加到70%先增加后趨于穩(wěn)定;薄膜的表面粗糙度隨著氫稀釋比的增加而增加,氫含量的變化趨勢與之相反;所制備的氫化微晶硅薄膜都具有(111)擇優(yōu)取向,與氫稀釋比無關(guān),且薄膜結(jié)構(gòu)致密。
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